霍爾元件可用多種半導體材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導體異質(zhì)結構量子阱材料等等。

　　霍爾元件主要基于霍爾效應，霍爾效應是指磁場(chǎng)作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時(shí)，產(chǎn)生橫向電位差的物理現象。金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學(xué)家霍爾發(fā)現的。當電流通過(guò)金屬箔片時(shí)，若在垂直于電流的方向施加磁場(chǎng)，則金屬箔片兩側面會(huì )出現橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在居里溫度以下將呈現極強的霍爾效應。關(guān)于霍爾效應的詳細描述可以參考銀河百科：霍爾效應。

　　霍爾元件具有許多優(yōu)點(diǎn)，它們的結構牢固，體積小，重量輕，壽命長(cháng)，安裝方便，功耗小，頻率高(可達1MHZ)，耐震動(dòng)，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。

　　霍爾線(xiàn)性器件的精度高、線(xiàn)性度好；霍爾開(kāi)關(guān)器件無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)磨損、輸出波形清晰、無(wú)抖動(dòng)、無(wú)回跳、位置重復精度高(可達μm級)。采用了各種補償和保護措施的霍爾器件的工作溫度范圍寬，可達-55℃～150℃。

　　按照霍爾元件的功能可將它們分為：霍爾線(xiàn)性器件和霍爾開(kāi)關(guān)器件。前者輸出模擬量，后者輸出數字量。

　　按被檢測的對象的性質(zhì)可將它們的應用分為：直接應用和間接應用。前者是直接檢測出受檢測對象本身的磁場(chǎng)或磁特性，后者是檢測受檢對象上人為設置的磁場(chǎng)，用這個(gè)磁場(chǎng)來(lái)作被檢測的信息的載體，通過(guò)它，將許多非電、非磁的物理量例如力、力矩、壓力、應力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、轉數、轉速以及工作狀態(tài)發(fā)生變化的時(shí)間等，轉變成電量來(lái)進(jìn)行檢測和控制。

01霍爾系數(又稱(chēng)霍爾常數)RH

　　在磁場(chǎng)不太強時(shí)，霍爾電勢差UH與激勵電流I和磁感應強度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH=RH*I*B/δ，式中的RH稱(chēng)為霍爾系數，它表示霍爾效應的強弱。另RH=μ*ρ即霍爾常數等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

02霍爾靈敏度KH(又稱(chēng)霍爾乘積靈敏度)

　　霍爾靈敏度與霍爾系數成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通?？梢员碚骰魻柍?。

03霍爾額定激勵電流

　　當霍爾元件自身溫升10℃時(shí)所流過(guò)的激勵電流稱(chēng)為額定激勵電流。

04霍爾最大允許激勵電流

　　以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱(chēng)為最大允許激勵電流。

05霍爾輸入電阻

　　霍爾激勵電極間的電阻值稱(chēng)為輸入電阻。

06霍爾輸出電阻

　　霍爾輸出電極間的電阻值稱(chēng)為輸入電阻。

07霍爾元件的電阻溫度系數

　　在不施加磁場(chǎng)的條件下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，電阻的相對變化率，用α表示，單位為%/℃。

08霍爾不等位電勢(又稱(chēng)霍爾偏移零點(diǎn))

　　在沒(méi)有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵電流為I的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱(chēng)為不等位電勢。

09霍爾輸出電壓

　　在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵電流為I的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱(chēng)為霍爾輸出電壓。

10霍爾電壓輸出比率

　　霍爾不等位電勢與霍爾輸出電勢的比率

11霍爾寄生直流電勢

　　在外加磁場(chǎng)為零、霍爾元件用交流激勵時(shí)，霍爾電極輸出除了交流不等位電勢外，還有一直流電勢，稱(chēng)寄生直流電勢。

12霍爾不等位電勢

　　在沒(méi)有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢的相對變化率。

13霍爾電勢溫度系數

　　在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢的相對變化率。它同時(shí)也是霍爾系數的溫度系數。

14熱阻Rth

　　霍爾元件工作時(shí)功耗每增加1W，霍爾元件升高的溫度值稱(chēng)為它的熱阻，它反映了元件散熱的難易程度，單位為：攝氏度/w。